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Infineon Technologies BSO615N

Numero parte MFG
BSO615N
quantità disponibile
19060 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
SIPMOS® MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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BSO615N specificazioni

codice articolo del costruttore BSO615N
Numero di parte futuro FT-BSO615N
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
BSO615N Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore PG-DSO-8
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO615N Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSO615N-FT

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