casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / PMDPB55XP,115
codice articolo del costruttore | PMDPB55XP,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PMDPB55XP,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMDPB55XP,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 785pF @ 10V |
Potenza - Max | 490mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-HUSON-EP (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMDPB55XP,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMDPB55XP,115-FT |
NTHD3100CT1
ON Semiconductor
NTHD3100CT3
ON Semiconductor
NTHD3100CT3G
ON Semiconductor
NTHD4102PT3G
ON Semiconductor
NTHD4401PT1
ON Semiconductor
NTHD4401PT1G
ON Semiconductor
NTHD4401PT3
ON Semiconductor
NTHD4401PT3G
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NTHD4502NT1
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NTHD5902T1
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A54SX08A-1FG144
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A54SX32A-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FG484I
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LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F1152I3
Intel
A42MX16-TQG176
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A42MX09-FTQG176
Microsemi Corporation
EP4SGX180DF29C2XN
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EP20K1000CB652C7
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EPF10K100ABC356-3
Intel