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Nexperia USA Inc. PMDPB58UPE,115

Numero parte MFG
PMDPB58UPE,115
quantità disponibile
51600 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.1564
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fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
- MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-PMDPB58UPE,115
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
PMDPB58UPE,115 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 804pF @ 10V
Potenza - Max 515mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore 6-HUSON-EP (2x2)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMDPB58UPE,115 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio PMDPB58UPE,115-FT

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