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NXP USA Inc. PMDPB38UNE,115

Name: PMDPB38UNE,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PMDPB38UNE,115
Availability: InStock
Rating: 4.7 (91 reviews)

Numero parte MFG: PMDPB38UNE,115

quantità disponibile: 58950 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: - MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PMDPB38UNE,115.pdf

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PMDPB38UNE,115 specificazioni

codice articolo del costruttore	PMDPB38UNE,115
Numero di parte futuro	FT-PMDPB38UNE,115
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
PMDPB38UNE,115 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	268pF @ 10V
Potenza - Max	510mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN2020-6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMDPB38UNE,115 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PMDPB38UNE,115-FT

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