casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / PMDPB70EN,115
codice articolo del costruttore | PMDPB70EN,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PMDPB70EN,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMDPB70EN,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 15V |
Potenza - Max | 510mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-HUSON-EP (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMDPB70EN,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMDPB70EN,115-FT |
NTHD4401PT1
ON Semiconductor
NTHD4401PT1G
ON Semiconductor
NTHD4401PT3
ON Semiconductor
NTHD4401PT3G
ON Semiconductor
NTHD4502NT1
ON Semiconductor
NTHD5902T1
ON Semiconductor
NTHD5903T1G
ON Semiconductor
NTHD5904T1
ON Semiconductor
NTHD5905T1
ON Semiconductor
TPCF8201(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX08A-FTQ144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-VFG256I
Microsemi Corporation
10M08DCF256A7G
Intel
EP3C16F256C6
Intel
10AX032H2F35E2LG
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U3F45I2SG
Intel
EPF10K200SBC356-1
Intel
10M02DCV36C7G
Intel