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Infineon Technologies BSM75GB170DN2HOSA1

Name: BSM75GB170DN2HOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSM75GB170DN2HOSA1
Availability: InStock
Rating: 4.9 (195 reviews)

Numero parte MFG: BSM75GB170DN2HOSA1

quantità disponibile: 90680 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: - IGBT 1700V 110A 625W MODULE

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Moduli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSM75GB170DN2HOSA1.pdf

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Messaggio

BSM75GB170DN2HOSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSM75GB170DN2HOSA1
Numero di parte futuro	FT-BSM75GB170DN2HOSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
BSM75GB170DN2HOSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo IGBT	-
Configurazione	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	110A
Potenza - Max	625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 75A
Corrente - Limite del collettore (max)	-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	11nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM75GB170DN2HOSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSM75GB170DN2HOSA1-FT

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