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Microsemi Corporation APTGT75DA120T1G

Name: APTGT75DA120T1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGT75DA120T1G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (70 reviews)

Numero parte MFG: APTGT75DA120T1G

quantità disponibile: 48160 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: - IGBT 1200V 110A 357W SP1

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Moduli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APTGT75DA120T1G.pdf

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APTGT75DA120T1G specificazioni

codice articolo del costruttore	APTGT75DA120T1G
Numero di parte futuro	FT-APTGT75DA120T1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
APTGT75DA120T1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Configurazione	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	110A
Potenza - Max	357W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 75A
Corrente - Limite del collettore (max)	250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	5.34nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	Yes
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	SP1
Pacchetto dispositivo fornitore	SP1
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGT75DA120T1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APTGT75DA120T1G-FT

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