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Microsemi Corporation APTGT75SK120D1G

Numero parte MFG
APTGT75SK120D1G
quantità disponibile
19280 pezzi
Prezzo di riferimento
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Data di spedizione
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
- IGBT 1200V 110A 357W D1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Moduli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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APTGT75SK120D1G specificazioni

codice articolo del costruttore APTGT75SK120D1G
Numero di parte futuro FT-APTGT75SK120D1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTGT75SK120D1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 110A
Potenza - Max 357W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Corrente - Limite del collettore (max) 4mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 5345nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso D1
Pacchetto dispositivo fornitore D1
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGT75SK120D1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APTGT75SK120D1G-FT

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