casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT75DH60TG
codice articolo del costruttore | APTGT75DH60TG |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APTGT75DH60TG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT75DH60TG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Asymmetrical Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100A |
Potenza - Max | 250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 75A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.62nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP4 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT75DH60TG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT75DH60TG-FT |
APTGT100A60TG
Microsemi Corporation
APTGT100DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT100DA120TG
Microsemi Corporation
APTGT100DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT100DA170TG
Microsemi Corporation
APTGT100DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT100DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100DH170G
Microsemi Corporation
APTGT100DH60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100DSK60T3G
Microsemi Corporation