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Microsemi Corporation APTGT75DA120D1G
- Numero parte MFG
- APTGT75DA120D1G
- quantità disponibile
- 57320 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Microsemi Corporation
- Breve descrizione
- - IGBT 1200V 110A 357W D1
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - IGBT - Moduli
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- APTGT75DA120D1G.pdf
APTGT75DA120D1G specificazioni
| codice articolo del costruttore | APTGT75DA120D1G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-APTGT75DA120D1G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| APTGT75DA120D1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 110A |
| Potenza - Max | 357W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 4mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 5345nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | D1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| APTGT75DA120D1G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | APTGT75DA120D1G-FT |
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