casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / BCM847QASZ
codice articolo del costruttore | BCM847QASZ |
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Numero di parte futuro | FT-BCM847QASZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BCM847QASZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) Matched Pair |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010B-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCM847QASZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCM847QASZ-FT |
SSVBC846BPDW1T1G
ON Semiconductor
NST65011MW6T1G
ON Semiconductor
NSVT65010MW6T1G
ON Semiconductor
NSVT65011MW6T1G
ON Semiconductor
SMBT3904DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
BC848CPDW1T1G
ON Semiconductor
NSVT45011MW6T3G
ON Semiconductor
SBC847CDW1T1G
ON Semiconductor
NST45011MW6T1G
ON Semiconductor
XC2S30-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325Q
Xilinx Inc.
A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-2X
Intel
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
5SGXEB6R2F40I3N
Intel
5SGXEB6R3F43C4
Intel
5SGXEA7H2F35C3N
Intel