casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS40-05/DG/B2,215
codice articolo del costruttore | BAS40-05/DG/B2,215 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAS40-05/DG/B2,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS40-05/DG/B2,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 120mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 40V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40-05/DG/B2,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS40-05/DG/B2,215-FT |
MBR12080CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR200100CT
GeneSiC Semiconductor
MBR200100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR200150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR200150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR200200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR200200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR20020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR20020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR20035CT
GeneSiC Semiconductor
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel