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GeneSiC Semiconductor MBR200150CTR

Name: MBR200150CTR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: MBR200150CTR
Price: 56.7248 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (661 reviews)

Numero parte MFG: MBR200150CTR

quantità disponibile: 50960 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 56.7248

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione: - DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Diodi - Raddrizzatori - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: MBR200150CTR.pdf

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MBR200150CTR specificazioni

codice articolo del costruttore	MBR200150CTR
Numero di parte futuro	FT-MBR200150CTR
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
MBR200150CTR Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Configurazione diodi	1 Pair Common Anode
Diodo	Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	150V
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo)	100A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	880mV @ 100A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	3mA @ 150V
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore	Twin Tower
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MBR200150CTR Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	MBR200150CTR-FT

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