casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR12080CTR
codice articolo del costruttore | MBR12080CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MBR12080CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR12080CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 120A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR12080CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR12080CTR-FT |
CDSV6-4148-G
Comchip Technology
CDSV6-4448AQ-G
Comchip Technology
CDSV6-4448CD-G
Comchip Technology
CDSV6-4448SD-G
Comchip Technology
CDSV6-4448TI-G
Comchip Technology
CDSV6-99SD-G
Comchip Technology
F1842CCD600
Sensata-Crydom
STPS2045CH
STMicroelectronics
STPS2545CGY-TR
STMicroelectronics
DD104N12KAHPSA1
Infineon Technologies
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel