casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR20035CT
codice articolo del costruttore | MBR20035CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR20035CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR20035CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20035CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR20035CT-FT |
DD104N12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD104N12KHPSA1
Infineon Technologies
DD104N12KKHPSA1
Infineon Technologies
DD104N14KAHPSA1
Infineon Technologies
DD104N14KHPSA1
Infineon Technologies
DD104N14KKHPSA1
Infineon Technologies
DD104N16KHPSA1
Infineon Technologies
DD104N16KKHPSA1
Infineon Technologies
DD160N22KHPSA1
Infineon Technologies
DD171N12KAHPSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel