casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR200200CT
codice articolo del costruttore | MBR200200CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR200200CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR200200CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR200200CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR200200CT-FT |
CDSV6-99SD-G
Comchip Technology
F1842CCD600
Sensata-Crydom
STPS2045CH
STMicroelectronics
STPS2545CGY-TR
STMicroelectronics
DD104N12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD104N12KHPSA1
Infineon Technologies
DD104N12KKHPSA1
Infineon Technologies
DD104N14KAHPSA1
Infineon Technologies
DD104N14KHPSA1
Infineon Technologies
DD104N14KKHPSA1
Infineon Technologies
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
AT6002-2AI
Microchip Technology
5SGXMB5R2F43C3N
Intel
XC5VLX110-1FFG1760I
Xilinx Inc.
5CEBA7F23C8N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel