casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / APT60D100SG
codice articolo del costruttore | APT60D100SG |
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Numero di parte futuro | FT-APT60D100SG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT60D100SG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 280ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3 [S] |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT60D100SG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT60D100SG-FT |
JANTX1N6642US
M/A-Com Technology Solutions
JAN1N6642US
Microsemi Corporation
JANTX1N6638U
Microsemi Corporation
JANTX1N6638US
M/A-Com Technology Solutions
JANTXV1N6640
M/A-Com Technology Solutions
JANTXV1N6640US
M/A-Com Technology Solutions
JAN1N6627US
Microsemi Corporation
JAN1N6620US
Microsemi Corporation
JAN1N5822
Microsemi Corporation
JAN1N5819UR-1
Microsemi Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel