casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTX1N6642US
codice articolo del costruttore | JANTX1N6642US |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JANTX1N6642US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/578 & /609 |
JANTX1N6642US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 300mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, D |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5D |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N6642US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX1N6642US-FT |
JANTX1N3671A
Microsemi Corporation
CDLL5711
Microsemi Corporation
1N4454UR-1
Microsemi Corporation
1N914UR
Microsemi Corporation
CDLL5195
Microsemi Corporation
CDLL5712
Microsemi Corporation
CDLL6675
Microsemi Corporation
CDLL6676
Microsemi Corporation
CDLL4150
Microsemi Corporation
CDLL4153
Microsemi Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel