casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT19F100J
codice articolo del costruttore | APT19F100J |
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Numero di parte futuro | FT-APT19F100J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT19F100J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 460W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT19F100J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT19F100J-FT |
APT38F80B2
Microsemi Corporation
APT8020B2LLG
Microsemi Corporation
APT37M100B2
Microsemi Corporation
APT41M80B2
Microsemi Corporation
APT48M80B2
Microsemi Corporation
APT24M120B2
Microsemi Corporation
APT50M65B2FLLG
Microsemi Corporation
APL502B2G
Microsemi Corporation
APT106N60B2C6
Microsemi Corporation
APT5010B2FLLG
Microsemi Corporation
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel