casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT37M100B2
codice articolo del costruttore | APT37M100B2 |
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Numero di parte futuro | FT-APT37M100B2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT37M100B2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 37A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9835pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1135W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT37M100B2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT37M100B2-FT |
APT75F50L
Microsemi Corporation
APL502LG
Microsemi Corporation
APT34N80LC3G
Microsemi Corporation
APT43M60L
Microsemi Corporation
APL602LG
Microsemi Corporation
APT20M22LVFRG
Microsemi Corporation
APT28M120L
Microsemi Corporation
APT34F100L
Microsemi Corporation
APT50M65LFLLG
Microsemi Corporation
APT50M65LLLG
Microsemi Corporation
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel