casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APL502B2G
codice articolo del costruttore | APL502B2G |
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Numero di parte futuro | FT-APL502B2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APL502B2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 29A, 12V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 730W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APL502B2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APL502B2G-FT |
APT20M22LVFRG
Microsemi Corporation
APT28M120L
Microsemi Corporation
APT34F100L
Microsemi Corporation
APT50M65LFLLG
Microsemi Corporation
APT50M65LLLG
Microsemi Corporation
APT56F60L
Microsemi Corporation
APT66F60L
Microsemi Corporation
APT84M50L
Microsemi Corporation
APT24M120L
Microsemi Corporation
APT56M60L
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel