casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT8020B2LLG
codice articolo del costruttore | APT8020B2LLG |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APT8020B2LLG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT8020B2LLG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 694W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT8020B2LLG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT8020B2LLG-FT |
APT56F50L
Microsemi Corporation
APT75F50L
Microsemi Corporation
APL502LG
Microsemi Corporation
APT34N80LC3G
Microsemi Corporation
APT43M60L
Microsemi Corporation
APL602LG
Microsemi Corporation
APT20M22LVFRG
Microsemi Corporation
APT28M120L
Microsemi Corporation
APT34F100L
Microsemi Corporation
APT50M65LFLLG
Microsemi Corporation