casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT5010B2FLLG
codice articolo del costruttore | APT5010B2FLLG |
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Numero di parte futuro | FT-APT5010B2FLLG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT5010B2FLLG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4360pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT5010B2FLLG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT5010B2FLLG-FT |
APT34F100L
Microsemi Corporation
APT50M65LFLLG
Microsemi Corporation
APT50M65LLLG
Microsemi Corporation
APT56F60L
Microsemi Corporation
APT66F60L
Microsemi Corporation
APT84M50L
Microsemi Corporation
APT24M120L
Microsemi Corporation
APT56M60L
Microsemi Corporation
APT66M60L
Microsemi Corporation
APT37M100L
Microsemi Corporation
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel