casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT10M11JVRU3
codice articolo del costruttore | APT10M11JVRU3 |
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Numero di parte futuro | FT-APT10M11JVRU3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT10M11JVRU3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 142A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 71A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 450W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT10M11JVRU3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT10M11JVRU3-FT |
APT8020B2LLG
Microsemi Corporation
APT37M100B2
Microsemi Corporation
APT41M80B2
Microsemi Corporation
APT48M80B2
Microsemi Corporation
APT24M120B2
Microsemi Corporation
APT50M65B2FLLG
Microsemi Corporation
APL502B2G
Microsemi Corporation
APT106N60B2C6
Microsemi Corporation
APT5010B2FLLG
Microsemi Corporation
APT5010B2LLG
Microsemi Corporation
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel