casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AOI516_001
codice articolo del costruttore | AOI516_001 |
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Numero di parte futuro | FT-AOI516_001 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOI516_001 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta), 46A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1229pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251B |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOI516_001 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOI516_001-FT |
DMN65D8LFB-7B
Diodes Incorporated
DMP58D0LFB-7
Diodes Incorporated
DMN1150UFB-7B
Diodes Incorporated
DMN62D0LFB-7
Diodes Incorporated
DMN2600UFB-7
Diodes Incorporated
DMP21D0UFB-7
Diodes Incorporated
DMN62D1LFB-7B
Diodes Incorporated
DMP32D4SFB-7B
Diodes Incorporated
DMP56D0UFB-7
Diodes Incorporated
DMN62D0LFB-7B
Diodes Incorporated
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel