casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMP58D0LFB-7
codice articolo del costruttore | DMP58D0LFB-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMP58D0LFB-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP58D0LFB-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 100mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 470mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
Pacchetto / caso | 3-UFDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP58D0LFB-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMP58D0LFB-7-FT |
DMP1200UFR4-7
Diodes Incorporated
DMT3006LDK-7
Diodes Incorporated
DMJ70H1D3SJ3
Diodes Incorporated
DMN3025LFV-13
Diodes Incorporated
DMP3018SFV-7
Diodes Incorporated
DMN1004UFV-13
Diodes Incorporated
DMN1004UFV-7
Diodes Incorporated
DMP3013SFV-13
Diodes Incorporated
DMP3013SFV-7
Diodes Incorporated
DMP3018SFV-13
Diodes Incorporated
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel