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Diodes Incorporated DMP56D0UFB-7
- Numero parte MFG
- DMP56D0UFB-7
- quantità disponibile
- 20010 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.102896
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Diodes Incorporated
- Breve descrizione
- - MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- DMP56D0UFB-7.pdf
DMP56D0UFB-7 specificazioni
| codice articolo del costruttore | DMP56D0UFB-7 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-DMP56D0UFB-7 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| DMP56D0UFB-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 100mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.58nC @ 4V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50.54pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 425mW (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Pacchetto / caso | 3-UFDFN |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMP56D0UFB-7 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | DMP56D0UFB-7-FT |
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