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Diodes Incorporated DMP56D0UFB-7

Name: DMP56D0UFB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP56D0UFB-7
Price: 0.102896 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (282 reviews)

Numero parte MFG: DMP56D0UFB-7

quantità disponibile: 20010 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.102896

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMP56D0UFB-7.pdf

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DMP56D0UFB-7 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMP56D0UFB-7
Numero di parte futuro	FT-DMP56D0UFB-7
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMP56D0UFB-7 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.58nC @ 4V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	50.54pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	425mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	3-DFN1006 (1.0x0.6)
Pacchetto / caso	3-UFDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMP56D0UFB-7 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMP56D0UFB-7-FT

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