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Diodes Incorporated DMN62D0LFB-7B

Name: DMN62D0LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN62D0LFB-7B
Availability: InStock
Rating: 4.6 (492 reviews)

Numero parte MFG: DMN62D0LFB-7B

quantità disponibile: 32100 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMN62D0LFB-7B.pdf

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DMN62D0LFB-7B specificazioni

codice articolo del costruttore	DMN62D0LFB-7B
Numero di parte futuro	FT-DMN62D0LFB-7B
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN62D0LFB-7B Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.45nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	32pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	470mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	3-X1DFN1006
Pacchetto / caso	3-UFDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN62D0LFB-7B Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMN62D0LFB-7B-FT

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