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Diodes Incorporated DMN1150UFB-7B

Name: DMN1150UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1150UFB-7B
Price: 0.0588 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (369 reviews)

Numero parte MFG: DMN1150UFB-7B

quantità disponibile: 36830 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.0588

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMN1150UFB-7B.pdf

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DMN1150UFB-7B specificazioni

codice articolo del costruttore	DMN1150UFB-7B
Numero di parte futuro	FT-DMN1150UFB-7B
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN1150UFB-7B Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.41A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.5nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	106pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	3-DFN1006 (1.0x0.6)
Pacchetto / caso	3-UFDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN1150UFB-7B Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMN1150UFB-7B-FT

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