casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2SK353900L
codice articolo del costruttore | 2SK353900L |
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Numero di parte futuro | FT-2SK353900L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK353900L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 10mA, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±7V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 3V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-G1 |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK353900L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SK353900L-FT |
RJK0851DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK0852DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK0853DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK0854DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK0856DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK1051DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK1052DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK1053DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK1055DPB-00#J5
Renesas Electronics America
H5N2522LSTL-E
Renesas Electronics America
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel