codice articolo del costruttore | 2N930 |
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Numero di parte futuro | FT-2N930 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N930 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10µA, 5V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 (TO-206AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N930 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N930-FT |
2N5428
Microsemi Corporation
2N5429
Microsemi Corporation
2N5430
Microsemi Corporation
2N5581
Microsemi Corporation
2N5582
Microsemi Corporation
2N5660
Microsemi Corporation
2N5661
Microsemi Corporation
2N5661U3
Microsemi Corporation
2N5662
Microsemi Corporation
2N5664
Microsemi Corporation
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XA7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1A3P600-PQ208
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C4ES
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX110-2FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel