codice articolo del costruttore | 2N5581 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5581 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5581 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-46 (TO-206AB) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5581 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5581-FT |
2N3507AL
Microsemi Corporation
2N3507L
Microsemi Corporation
2N3507U4
Microsemi Corporation
2N3634
Microsemi Corporation
2N3634L
Microsemi Corporation
2N3635L
Microsemi Corporation
2N3636
Microsemi Corporation
2N3636L
Microsemi Corporation
2N3636UB
Microsemi Corporation
2N3637
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFE2-50E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F35C6N
Intel
EP4CE30F29I7N
Intel