codice articolo del costruttore | 2N5660 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5660 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
2N5660 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5660 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5660-FT |
2N3507U4
Microsemi Corporation
2N3634
Microsemi Corporation
2N3634L
Microsemi Corporation
2N3635L
Microsemi Corporation
2N3636
Microsemi Corporation
2N3636L
Microsemi Corporation
2N3636UB
Microsemi Corporation
2N3637
Microsemi Corporation
2N3637L
Microsemi Corporation
2N3724
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C6
Intel
EPF10K50SFC484-1X
Intel
5SGXMA9K2H40C2LN
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45E2LG
Intel
EPF8636ALC84-4
Intel
EP1S10F780I6N
Intel