codice articolo del costruttore | 2N5429 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5429 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
2N5429 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5429 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5429-FT |
2N3506L
Microsemi Corporation
2N3507
Microsemi Corporation
2N3507AL
Microsemi Corporation
2N3507L
Microsemi Corporation
2N3507U4
Microsemi Corporation
2N3634
Microsemi Corporation
2N3634L
Microsemi Corporation
2N3635L
Microsemi Corporation
2N3636
Microsemi Corporation
2N3636L
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256I
Microsemi Corporation
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-QN84
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I5N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel
EP20K160EQC240-3N
Intel
EPF10K30EQC208-2N
Intel