codice articolo del costruttore | 2N5430 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2N5430 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
2N5430 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5430 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5430-FT |
2N3507
Microsemi Corporation
2N3507AL
Microsemi Corporation
2N3507L
Microsemi Corporation
2N3507U4
Microsemi Corporation
2N3634
Microsemi Corporation
2N3634L
Microsemi Corporation
2N3635L
Microsemi Corporation
2N3636
Microsemi Corporation
2N3636L
Microsemi Corporation
2N3636UB
Microsemi Corporation
A3P060-VQG100T
Microsemi Corporation
AT6005-4AC
Microchip Technology
EP4CGX30CF23C6
Intel
EP4CE6F17A7N
Intel
EP3C10U256C8
Intel
5SGXEA5K1F40I2N
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation