codice articolo del costruttore | 2N5822 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5822 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5822 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 750mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 70V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2mA, 2V |
Potenza - Max | 1.5W |
Frequenza - Transizione | 120MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5822 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5822-FT |
JANTXV2N3506A
Microsemi Corporation
JANTXV2N3506AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N3506L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3507A
Microsemi Corporation
JANTXV2N3507AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N3507L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3715
Microsemi Corporation
JANTXV2N3766
Microsemi Corporation
JANTXV2N3867S
Microsemi Corporation
JANTXV2N3868
Microsemi Corporation
EX64-PTQG100I
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208
Microsemi Corporation
10M40DCF256A7G
Intel
EP3SL340F1517C3
Intel
XC6VLX365T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
AGL125V5-FG144
Microsemi Corporation
LFEC33E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153I7G
Intel