codice articolo del costruttore | 2N5822 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5822 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5822 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 750mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 70V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2mA, 2V |
Potenza - Max | 1.5W |
Frequenza - Transizione | 120MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5822 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5822-FT |
JANTXV2N3506A
Microsemi Corporation
JANTXV2N3506AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N3506L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3507A
Microsemi Corporation
JANTXV2N3507AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N3507L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3715
Microsemi Corporation
JANTXV2N3766
Microsemi Corporation
JANTXV2N3867S
Microsemi Corporation
JANTXV2N3868
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel