casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N3506L
codice articolo del costruttore | JANTXV2N3506L |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N3506L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JANTXV2N3506L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3506L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N3506L-FT |
JAN2N4238
Microsemi Corporation
JAN2N4239
Microsemi Corporation
JAN2N5151
Microsemi Corporation
JAN2N5151L
Microsemi Corporation
JAN2N5152
Microsemi Corporation
JAN2N5152L
Microsemi Corporation
JAN2N5153L
Microsemi Corporation
JAN2N5154L
Microsemi Corporation
JAN2N5157
Microsemi Corporation
JAN2N5237S
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256I
Microsemi Corporation
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-QN84
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I5N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel
EP20K160EQC240-3N
Intel
EPF10K30EQC208-2N
Intel