casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N3715
codice articolo del costruttore | JANTXV2N3715 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N3715 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/408 |
JANTXV2N3715 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 2A, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 3A, 2V |
Potenza - Max | 5W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3 (TO-204AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3715 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N3715-FT |
JAN2N5152
Microsemi Corporation
JAN2N5152L
Microsemi Corporation
JAN2N5153L
Microsemi Corporation
JAN2N5154L
Microsemi Corporation
JAN2N5157
Microsemi Corporation
JAN2N5237S
Microsemi Corporation
JAN2N5238S
Microsemi Corporation
JAN2N5339
Microsemi Corporation
JAN2N5415S
Microsemi Corporation
JAN2N5664
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
AX250-2FGG484
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5F27I7N
Intel
10M50SCE144C7G
Intel
5SGXEB6R3F43C4
Intel
EP4S40G5H40I1N
Intel
LFE5U-12F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel
EP1S30F780C5
Intel