casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N3506AL
codice articolo del costruttore | JANTXV2N3506AL |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N3506AL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JANTXV2N3506AL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3506AL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N3506AL-FT |
JAN2N4237
Microsemi Corporation
JAN2N4238
Microsemi Corporation
JAN2N4239
Microsemi Corporation
JAN2N5151
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JAN2N5151L
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JAN2N5152
Microsemi Corporation
JAN2N5152L
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JAN2N5153L
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JAN2N5154L
Microsemi Corporation
JAN2N5157
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
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M1A3P1000-2FGG484
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A3P1000-FG256
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A3P600-2PQG208I
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LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
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XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel