casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N3506A
codice articolo del costruttore | JANTXV2N3506A |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N3506A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JANTXV2N3506A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3506A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N3506A-FT |
JAN2N4236
Microsemi Corporation
JAN2N4237
Microsemi Corporation
JAN2N4238
Microsemi Corporation
JAN2N4239
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JAN2N5151
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JAN2N5151L
Microsemi Corporation
JAN2N5152
Microsemi Corporation
JAN2N5152L
Microsemi Corporation
JAN2N5153L
Microsemi Corporation
JAN2N5154L
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C6
Intel
EPF10K50SFC484-1X
Intel
5SGXMA9K2H40C2LN
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45E2LG
Intel
EPF8636ALC84-4
Intel
EP1S10F780I6N
Intel