codice articolo del costruttore | 2N5375 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5375 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5375 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.3V @ 15mA, 150mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 360mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5375 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5375-FT |
JANTXV2N3420S
Microsemi Corporation
JANTXV2N3506
Microsemi Corporation
JANTXV2N3506A
Microsemi Corporation
JANTXV2N3506AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N3506L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3507A
Microsemi Corporation
JANTXV2N3507AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N3507L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3715
Microsemi Corporation
JANTXV2N3766
Microsemi Corporation
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FCSG325
Microsemi Corporation
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
Intel
EP20K400BC652-1
Intel
EP2S180F1020I4
Intel