codice articolo del costruttore | 2N5012 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5012 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5012 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 25mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5012 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5012-FT |
DSC5G03S0L
Panasonic Electronic Components
DSC5G03T0L
Panasonic Electronic Components
2SCR542F3TR
Rohm Semiconductor
NSS20500UW3TBG
ON Semiconductor
S1JVNJD2873T4G
ON Semiconductor
SJD32CT4G-VF01
ON Semiconductor
2N2219AE4
Microsemi Corporation
2N2222AE4
Microsemi Corporation
2N2222AL
Microsemi Corporation
2N5962
Central Semiconductor Corp
A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
EP4SGX360KF43C4
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K3F35E2SG
Intel