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Diodes Incorporated ZXMN6A25G

Numero parte MFG
ZXMN6A25G
quantità disponibile
82810 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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ZXMN6A25G specificazioni

codice articolo del costruttore ZXMN6A25G
Numero di parte futuro FT-ZXMN6A25G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
ZXMN6A25G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN6A25G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio ZXMN6A25G-FT

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