casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / XP152A11E5MR-G
codice articolo del costruttore | XP152A11E5MR-G |
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Numero di parte futuro | FT-XP152A11E5MR-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XP152A11E5MR-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 700mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 400mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XP152A11E5MR-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XP152A11E5MR-G-FT |
SI2337DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SN7002NH6327XTSA2
Infineon Technologies
SQ2351ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2361ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
BSS806NH6327XTSA1
Infineon Technologies
SI2307BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2307CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2319CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2336DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2367DS-T1-GE3
Vishay Siliconix