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Vishay Siliconix SI2367DS-T1-GE3

Numero parte MFG
SI2367DS-T1-GE3
quantità disponibile
92940 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.12996
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore SI2367DS-T1-GE3
Numero di parte futuro FT-SI2367DS-T1-GE3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI2367DS-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 8V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 561pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2367DS-T1-GE3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SI2367DS-T1-GE3-FT

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