casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI2307CDS-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI2307CDS-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI2307CDS-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI2307CDS-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2307CDS-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI2307CDS-T1-E3-FT |
BSS123
ON Semiconductor
FDN335N
ON Semiconductor
2N7002K-T1-GE3
Vishay Siliconix
TP0610K-T1-E3
Vishay Siliconix
2N7002K
ON Semiconductor
2N7002-TP
Micro Commercial Co
BSS84
ON Semiconductor
FDV304P
ON Semiconductor
SI2333DS-T1-E3
Vishay Siliconix
FDN352AP
ON Semiconductor
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel