casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS806NH6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BSS806NH6327XTSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BSS806NH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSS806NH6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 2.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 11µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 529pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS806NH6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS806NH6327XTSA1-FT |
NDS7002A
ON Semiconductor
2N7002K-T1-E3
Vishay Siliconix
BSS123
ON Semiconductor
FDN335N
ON Semiconductor
2N7002K-T1-GE3
Vishay Siliconix
TP0610K-T1-E3
Vishay Siliconix
2N7002K
ON Semiconductor
2N7002-TP
Micro Commercial Co
BSS84
ON Semiconductor
FDV304P
ON Semiconductor
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel