casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / XN0155800L
codice articolo del costruttore | XN0155800L |
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Numero di parte futuro | FT-XN0155800L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XN0155800L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini5-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XN0155800L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XN0155800L-FT |
QSZ4TR
Rohm Semiconductor
IMT18T110
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FMY1AT148
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