codice articolo del costruttore | EMX2T2R |
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Numero di parte futuro | FT-EMX2T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMX2T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 180MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMX2T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMX2T2R-FT |
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FEYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1618-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4A51JTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32A-TQG144A
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3CSG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGSMD3E2H29C2N
Intel
10AX032E4F29I3SG
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-2
Intel
EP1SGX25DF1020C5N
Intel