casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / EMX1FHAT2R
codice articolo del costruttore | EMX1FHAT2R |
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Numero di parte futuro | FT-EMX1FHAT2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
EMX1FHAT2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 180MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMX1FHAT2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMX1FHAT2R-FT |
HN2A01FE-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FEYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1618-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4A51JTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV50-5FG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2FGG484I
Xilinx Inc.
AGLN060V5-CSG81
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F40C1N
Intel
5SGSMD3E2H29C1N
Intel
10AX048K4F35I3SG
Intel
5SGXEA7N3F45I4N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-BGG329M
Microsemi Corporation
A42MX16-FPL84
Microsemi Corporation